П образная схема замещения транзистора

п образная схема замещения транзистора
Два наружных p-слоя создаются в результате диффузии в них акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Конструкция. Принцип действия. ВАХ МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Подобно этому в области p возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными атомами акцепторной примеси и пришедшими сюда электронами. На рисунке1 для упрощения носители и атомы примесей показаны только в области перехода. Форма напряжения во вторичной обмотке связана с формой напряжения в первичной обмотке довольно сложным образом.


Отсутствие накала, малые габариты и стоимость, высокая надежность- таковы преимущества, благодаря которым транзистор вытеснил из большинства областей техники электронный лампы. У этого термина существуют и другие значения, см. Якщо реальний чотириполюсник пасивний, тоді еквівалентні схеми заміщення спрощуються (E=J=0). 1. Атабеков Г.И., ОТЦ (Основы теории цепей), 1968. Явление инжекции. 14. P-n-переход при подаче обратного напряжения. Отличие ВАХ p-n-переходов из различных материалов (Ge, Si, GaAs). 12. Сопротивление p-n-перехода постоянному току и дифференциальное сопротивление: физический смысл, геометрическая интерпретация. 13. Влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ p-n-перехода. 14. Виды пробоя в p-n-переходе. Область с электропроводностью p-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежли основная пластинка сравнительно высокоомного германия, и поэтому является эмитером. К основной пластинке германия и к индию припаиваются выводные проволочки, обычно из никеля.

Такая таблица, будучи однажды составлена, совместно с подпрограммой интерполяции для получения промежуточных данных может существенно ускорить расчет схемы, однако при этом увеличивается объем требуемой памяти. Схеми заміщення є рівноправними і вибираються, виходячи з того, яка з них краще відображає фізичну природу зміщуваного чотириполюсника. Використовуючи значення а-параметрів, легко можна визначити такі важливі характеристики чотириполюсника, як коефіцієнт передачі по струму та напрузі, вхідний та вихідний опори. Коэффициент демпфирования. 36. Коэффициент полезного действия и выходная мощность каскада усиления. Системы фокусировки и отклонения. 49. Устройство и принцип действия электростатической системы и магнитной фокусировки. 50. Отклоняющие системы ЭЛТ. Чувствительность трубок с электростатической и магнитной отклоняющими системами. 51. Экраны ЭЛТ. Основные параметры экранов, типы экранов. Ротор представляет собой также цилиндр, составленный из листовой электротехнической стали в форме колец, с пазами на их внешней поверхности, в которые укладывается роторная обмотка. В зависимости от ее устройства различают: Страница 1 из 58: 1234…58.

Похожие записи: